TSMC は、台湾・高雄の Fab 22 において、2 nm プロセス（N2）の初期ウェハ露光を成功させ、量産化に向けた重要なマイルストーンを通過した。N2 の商用化は 2025 年後半～ 2026 年を見据えており、半導体業界にとって転換期となる節目だ。
Fab 22 での初露光成功：N2 技術の初歩段階が始動
高雄にある Fab 22 にて、TSMC は初の 2nm プロセス ウェハ露光を達成した。これは N2 リスク試作段階から次の段階へ移行する象徴的な成果である。設備・プロセス間の整合性確認やマスク整備、露光装置の調整といった技術課題のうち、露光段階の第一歩をクリアした。
この成果をもって、TSMC は 2025 年の後半からの量産化（HVM：High Volume Manufacturing）開始に備えるフェーズへ移行する可能性が高まった。
N2 プロセスの特徴と先端技術要素
N2 プロセスは、TSMC にとって最初のナノシート（Gate-All-Around／GAA）型トランジスタ採用ノードである。従来の FinFET 構造からの転換を伴うアーキテクチャ移行が要となる技術革新だ。
N2 技術における注目点は以下の通り：
- トランジスタ密度の向上
- 消費電力削減と性能強化のトレードオフ改善
- 裏面給電（Backside Power Delivery）や電源・配線最適化
- 欠陥密度（defect density）の抑制と歩留まり改善
これらを制御できて初めて、N2 量産は実効フェーズへ移行できる。
顧客予約と初期採用動向
TSMC は N2 技術に対して多数の顧客を確保しているとされ、Intel、AMD、MediaTek などが早期採用の候補に挙げられている。
たとえば、AMD は N2 プロセスでの初製品シリコンを確認したと発表しており、サーバー／HPC 分野での製品化を視野に入れている。
また、MediaTek は N2P（2 nm 派生プロセス）を利用した次世代 SoC をすでに設計しており、2026 年後半の量産化を目指す計画を打ち出している。
Apple も TSMC の 2nm 容量を大口予約したという報道があり、同社の次世代 A／M 系プロセッサ投入を想定した動きと見られる。
量産化スケジュールとリスク要因
現時点では、量産化は 2025 年後半～ 2026 年初頭が目標とされている。だが、実際に「量産レベルの歩留まり」で供給可能となるには、まだ多くの技術的課題が残る。
主なリスク要因は以下である：
- 欠陥密度制御と歩留まりの安定化
- 製品設計最適化（設計ルール・セルライブラリの成熟）
- 装置キャリブレーションと歩留まり成長速度
- 顧客要求分野（高性能／低消費電力／AI 需要など）との整合性
- 供給・材料制約、工場設備稼働率
これらの要素がうまく揃わなければ、量産化のロールアウトが遅延する可能性もある。
意義：半導体の世代転換期
TSMC の N2 の量産化は、業界にとって大きな節目である。N2 が商用化すれば、3 nm 世代に対して性能・消費電力・密度の改善幅がさらに拡大し、AI・モバイル・サーバー市場におけるチップ競争を再構築する契機となる。
また、N2 技術の実用化成功は、今後の 1.4nm や派生プロセス（N2P、N2X など）への段階的移行を加速させる可能性がある。
ただし、「最初に量産できる」技術と「安定供給できる」技術は別物である。今後の歩留まり改善、顧客適用範囲拡大、供給体制強化の進捗を注視する必要がある。